asml估计华为明年用DUV光刻机出限量5纳米和3纳米芯片

ASML估计华为明年用DUV光刻机出限量5纳米和3纳米芯片。

asml推测9000S，9010S，9020S都是7纳米工艺。通过2.5D工艺和3D工艺增加芯片面积和厚度增加晶体管，有9核并行设计达到4纳米gen2.水平。有消息称未到7纳米，是10纳米级3D加多核达到目标，这样才能实现规模量产1500万片左右。

华为用了多种技术有可能达到5纳米3纳米，例如通过高精度校准精度0.1纳米，DUV的2纳米套刻精度，达到DUV理论极限5纳米。 3D就可以有等效2.5纳米水平，小步到6纳米，实现3纳米水平。国产DUV计划 套刻精度1.4纳米，能做到2纳米 ，只是产率比EUV低得多。

用DUV光刻机，自对准多重曝光的理论极限2纳米，要更多层曝光。

实际上ASML只向中国出售7纳米光刻机，未出售最先进5纳米DUV光刻机。

国产EUV正在调测中，可能2年内达到量产，只比台积电落后一年。

另外，台积电也被排斥，高NA EUV光刻机先给其他厂家。