开发碳化硅材料深刻蚀工艺，「中锃半导体」完成数千万元天使轮融资丨36氪首发

作者丨邱晓芬

编辑丨苏建勋

36 氪获悉，中锃半导体（深圳）有限公司（下称「中锃半导体」）完成数千万元人民币天使轮融资。本轮融资由国科京东方、国核曜能、望众投资等共同出资，将主要用于研发平台搭建、原型设备和核心工艺开发、持续吸纳优秀技术人才。

「中锃半导体」成立于2023年10月，聚焦于特色工艺领域的 “等离子体干法刻蚀设备（Plasma Dry Etch）”和“关键工艺解决方案”。

「中锃半导体」创始人兼CEO谭志明表示，公司目前正全力开发针对碳化硅材料的深刻蚀设备和工艺（Deep SiC Etch），用以支持沟槽栅（Trench-Gate）的实现和更广阔器件设计窗口。

功率半导体，又称电力电子器件或功率电子器件，是电子产业链中最核心的一类器件之一。功率半导体能够实现电能转换和电路控制，在电路中主要起着功率转换、功率放大、 功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）和整流（交流转直流）等作用。

而碳化硅（SiC）作为一种宽禁带材料天然具有更高的耐压，用碳化硅制作的电力器件相对于传统硅基器件，可以以更高的频率和更宽的温度区域内处理高压电流。

在模组层面，碳化硅已经可以显著地降低损耗、重量和体积。为此，在未来能源技术变革当中，碳化硅材料将极具优势。

因此，目前在各类功率器件中，碳化硅功率器件作为一项先进的电力电子设备，已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。

不过，目前影响碳化硅走向应用的重大限制之一是成本。

通过沟槽栅（Trench-Gate）技术，碳化硅产品可以缩小芯片的表面积，让单个晶圆能产出更多的芯片。因此，这项技术也成为产业界降成本的主要手段。

而除了成本考量之外，沟槽栅还可以避免寄生Jfet效应带来的额外内阻。比如，国外芯片厂商“英飞凌”就曾通过沟槽，来选择更好晶面来改善栅氧界面和提高器件性能等等。

因此，如何应对碳化硅仅次于金刚石的超高的硬度（莫氏硬度9.5）和材料特性，实现碳化硅深刻蚀（Deep SiC Etch）以高效地实现工艺的具体形貌要求，就成为产业界一个重大的难题。

在国内市场，目前产业界正处于碳化硅深刻蚀实现技术突破和量产的关键阶段，更需要本土的设备厂商提供更多特色工艺的支持，共同实现半导体技术上的“弯道超车”。

「中锃半导体」创始人兼CEO谭志明介绍，“公司团队在技术和经验上非常全面，涵盖设备、制程工艺甚至器件设计等多个环节，并且确认会同产业生态内的合作伙伴进行联合研发，期望尽早推出卓越的刻蚀设备产品和成熟的工艺解决方案，协助客户解决关键工艺突破问题，提升产品价值。”

展望未来，谭志明表示，“中锃半导体将携手产业生态伙伴和业内高手，以领先的设备和工艺助力中国碳化硅产业发展跑出加速度。并期望依托本土市场的基础，最终走向全球。”

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