联电首推3DIC方案 加速5G装置传输

联电2日宣布推出RFSOI制程技术的3D IC解决方案，在不耗损射频效能情况下，晶片尺寸可减少45％。（图／联电提供）

晶圆厂联电2日宣布，推出业界首项RFSOI制程技术的3D IC解决方案，此55奈米RFSOI制程平台上所使用的矽堆叠技术，在不损耗射频(RF)效能下，可将晶片尺寸缩小45％以上，使客户能够有效率地整合更多射频元件，以满足5G更大的频宽需求。

RFSOI是用于低杂讯放大器、开关和天线调谐器等射频晶片的晶圆制程。随着新一代智慧手机对频段数量需求的不断增长，联电的RFSOI 3D IC解决方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了晶片堆叠时常见的射频干扰问题，将装置中传输和接收资料的关键组件，透过垂直堆叠晶片来减少面积，以解决在装置中为整合更多射频前端模组带来的挑战。该制程已获得多项国际专利，准备投入量产。

联电技术开发处执行处长Raj Verma表示，很高兴以创新射频前端模组的3D IC技术为客户打造最先进的解决方案。这项突破性技术解决了5G／6G智慧手机频段需求增加所带来的挑战，更有助于在行动、物联网和虚拟实境的装置中，透过同时容纳更多频段来实现更快的资料传输。