南京第三代半导体技术创新中心取得高可靠性超级结MOSFET及其制造方法专利

金融界2024年11月25日消息，国家知识产权局信息显示，南京第三代半导体技术创新中心有限公司取得一项名为“高可靠性超级结MOSFET及其制造方法”的专利，授权公告号CN 118610264 B，申请日期为2024年8月。

本文源自：金融界

作者：情报员