「盘中宝」明年供应缺口或超20%，产能排挤效应有望掀涨价潮，机构称该细分半导体正迎来前所未有供需失衡“超级周期”，这家企业积极布局研发相关配套产品

财联社资讯获悉，行业媒体报道，供应链透露，已接获三星通知，其高频宽存储器（HBM）产品HBM3e通过英伟达（NVIDIA）认证，预计本季开始供货，并将提拨高达三成既有DRAM产能生产HBM3e，造成庞大的产能排挤效应，“要赶紧备货（DRAM）”，料将引爆DRAM涨价潮重头戏，南亚科、威刚、十铨等台厂坐享涨价利益。业界分析，三星是全球存储器龙头，DRAM市占高达45%以上，以三星拟提拨三成产能生产HBM3e换算，全球现有超过13%的DRAM产能不再投入DDR4或DDR5等DRAM，导致DRAM市场供给更紧俏。

一、服务器需求复苏，第三季DRAM均价将持续上扬

根据TrendForce集邦咨询最新调查显示，由于通用型服务器(generalserver)需求复苏，加上DRAM供应商HBM生产比重进一步拉高，使供应商将延续涨价态度，第三季DRAM均价将持续上扬。

摩根士丹利指出，由于近年来DRAM厂新增产能有限，叠加HBM消耗大量产能，DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”，明年标准型DRAM供应缺口高达23%，将比HBM更缺，为近年罕见，价格将一路上涨。此外，大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估，由原预期8%和10%，上调至13%和20%，调升幅度高达六成以上。

二、相关上市公司：聚辰股份、精测电子

聚辰股份是业内少数拥有完整SPD产品组合和技术储备的企业，拥有存储类芯片、音圈马达驱动芯片和智能卡芯片三条主要产品线。参股公司武汉喻芯专注于NAND及DRAM存储器研发。中银国际研报指出，AI浪潮下公司积极布局DDR5内存模组配套SPD、汽车电子等高附加值应用领域，紧密研发NORFlash、闭环和OIS音圈马达驱动芯片等新品。

精测电子在半导体光学、半导体电子光学及泛半导体领域积极进行项目研发，在DRAMRDBI测试设备、CP/FTATE设备等方面积累了大量经验，形成了较好技术沉淀。

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