涉嫌泄漏长鑫存储资讯 前三星韩国员工遭中国以间谍罪逮捕

曾在中国长鑫半导体工作的前三星韩国员工在跳槽后疑似泄漏业技术机密，遭中国以间谍罪逮捕。（图／长鑫存储官网）

韩国驻华大使馆表示，一名50岁韩国男子A某因涉嫌「向韩国泄露中国半导体资讯」，被控间谍罪于去年12月被中国警方拘留。这是自去年 7 月中国修订的《反间谍法》生效以来，第一起根据该法逮捕韩国人的案件。

《芯智讯》引述韩媒报导说，A某现居安徽省合肥市，在当地一家半导体公司工作，与妻子和两个女儿一起生活。其曾就职于三星电子半导体部门担任离子注入技术员20余年，2016年移居中国，并加入中国最大的存储晶片制造商长鑫存储（CXMT），随后他离开长鑫存储，又在另外2家中国半导体公司任职。

报导指出，2023年12月18日，合肥市国家安全局的调查人员以间谍罪名逮捕了A先生，并在当地一家酒店隔离审讯了5个多月，随后于2024年5月被检察机关移送拘留，预计于2024年11月正式受审。

合肥市国家安全局怀疑，A某在长鑫存储工作期间曾向韩国泄露长鑫存储的半导体相关资讯，A某则坚称自己在中国没有接触过任何核心半导体技术。

报导表示，中国新修订的《反间谍法》于2023年7月生效，新法将间谍行为的范围从「窃取国家机密和资讯」扩大到包括转移任何与「国家安全和利益」有关的文件、资料、材料和物品，即使它们不属于国家机密范畴。

如果A某在后续审判中被判入狱，他将成为首位根据中国《反间谍法》受到处罚的韩国人。过去在中国间谍罪的审判通常需要数年时间，具体的刑期达到3-10年或更长时间并不罕见。

韩国驻华大使馆官员表示正向被捕韩国人家属提供领事协助，中国外交部则证实这名韩国人已被逮捕。

据韩媒指出，2023年12月韩国检察院以涉嫌违反韩国《防止和保护工业技术泄露法》将2两名从中国返回韩国的前三星电子韩籍员工逮捕，指控他们涉嫌向中国厂商泄露了三星16nm DRAM技术机密。另一起案件当中，三星和SK海力士前高管亦遭指控涉嫌利用窃取的三星DRAM技术在中国建厂而被捕。今年10月初，韩国政府还推出了最新一揽子措施，以追查和惩罚向外国厂商泄漏关键技术的行为，其中已有10起与中国有关。