SK海力士×台积电 推新HBM4

SK海力士19日宣布与台积电签署谅解备忘录（MOU），将合作开发预计在2026年投产的高频宽记忆体，即第六代HBM产品－HBM4。图／美联社

SK海力士HBM产品路线图

SK海力士19日宣布与台积电签署谅解备忘录（MOU），将合作开发预计在2026年投产的高频宽记忆体，即第六代HBM产品－HBM4。由于SK海力士为AI应用记忆体领域的领导者，此次宣布与全球顶级逻辑代工厂台积电合作，强强联手，已为AI技术创新投下震撼弹。

SK海力士指出，将透过以建构IC设计厂、晶圆代工厂、记忆体厂三方技术合作的方式，实现记忆体产品性能的突破。

两家公司将致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础晶片（Base Die）进行效能改善。

HBM由多个DRAM晶片（Core Die）堆叠在基础晶片上，并透过矽通孔（TSV）技术，进行垂直连接而成，基础晶片也连接至GPU，对HBM进行控制的作用。

SK海力士以往的HBM产品，包括HBM3E（第五代HBM产品），都是基于公司自身制程制程，制造了基础晶片，但从HBM4产品开始，规划采用台积电的先进逻辑（Logic）制程。

如果在基础晶片采用超细微制程，可以增加更多的功能。由此，公司计划生产在性能和功效等方面，制造满足客户需求的客制化（Customized）HBM产品。

同时，双方将协力优化SK海力士的HBM产品与台积电的CoWoS技术融合，共同因应HBM相关客户的要求。

SK海力士AI Infra担当社长金柱善表示，透过与台积电的合作，不仅将开发出最高性能的HBM4，还将积极拓展与全球客户的开放性合作（Open Collaboration）。

该公司将提升客户客制化记忆体平台（Custom Memory Platform）的竞争力，巩固公司AI的记忆体全方位供应商的地位。

台积电业务开发和海外营运办公室资深副总经理兼副共同营运长张晓强表示，台积电与SK海力士多年来已建立稳固的合作伙伴关系。此次合作更融合了最先进的逻辑工艺和HBM产品，并向市场提供了全球领先的AI解决方案。

展望新一代HBM4，台积电与SK海力士将透过紧密合作，提供最佳的整合产品，为两家共同客户开展新的AI创新，成为未来成长的关键推动力。