增幅最高达100%!两大存储龙头上调明年设备投资 复苏预期下出货量目标同步增长

《科创板日报》12月18日讯 复苏预期加持下,三星、SK海力士两大投资巨头正在筹划调高2024年半导体设备投资额及出货量目标。

据今日ET News消息,三星2024年计划半导体设备投资额达到27万亿韩元,同比增长25%;SK海力士则计划投资5.3万亿韩元,同比增长100%。

存储芯片具体投资方向上,三星电子和SK海力士正准备投资以DDR5和HBM为主的设备;同时,前者计划大规模投资3nm和2nm等超精细工艺。

至于出货量方面,三星计划将DRAM与NAND产量分别较今年提高24%。SK海力士同样在谋划扩产,扩产重点将是HBM等高端DRAM产品,公司拟将DRAM产量提高到减产前水平,即去年年底前水平。

去年底开始,三星与SK海力士开始大幅减产,彼时工厂开工率甚至低至50%。而新的一年,这两家存储巨头的DRAM将与减产前持平甚至更高,NAND则仍低于减产前水平。

据悉,三星与SK海力士增加设备投资及产量的最主要原因,还是为了行业状况改善做准备。

值得一提的是,韩国金融投资业界近日一致上调了三星电子和SK海力士两家存储龙头的Q4业绩预期:SK海力士有望结束连续4个季度的营业赤字,今年Q4将实现1000亿韩元左右的盈利;三星电子也有望在明年Q1扭亏为盈。

实际上,复苏之风有望吹遍整个存储芯片行业,摩根士丹利上周报告就指出,PC与智能手机制造商正积极建立存储芯片库存,明年Q1存储芯片的价格有望大幅上涨。

根据其援引的TrendForce预期数据,明年Q1,DRAM及NAND价格环比增幅均有望达到18%-23%——相较TrendForce此前预期(DRAM价格环比增长8%-13%、NAND 5%-10%),最新的预计增幅翻倍不止,上调了10-13个百分点。

存储厂商威刚也表示,看好明年内存价格将持续正向发展,“内存多头市场才正要开始”。现阶段上游的减产计划维持,涨价态度强势,不只Q4的NAND Flash调涨幅度与频率超乎预期,明年Q1也预期有相当的涨价空间。