ASML不卖DUV 陆晶片死路一条？美1漏洞让北京大爆杀

传艾司摩尔同意不出售生产成熟制程晶片的DUV设备给大陆。（示意图/达志影像/shutterstock）

外媒日前报导，荷兰、日本加入对大陆半导体设备出口管制行列，美日荷三国已达成共识，传出荷厂艾司摩尔（ASML）同意不出售生产成熟制程晶片的深紫外光（DUV）设备给大陆，但产业分析师认为，若目标是为了打压大陆先进技术能力，其中还存在不少漏洞。

集微网报导，知名产业分析师Dylan Patel表示，如果是限制大陆取得14奈米、7奈米或5奈米先进制程技术，那么禁令必须达到能够处理这些节点功能的不同级别工具。

如台积电16奈米和12奈米技术，最小金属间距为64奈米；台积电7奈米技术最小金属间距为40奈米；5奈米制程技术最小金属间距为28奈米，出口禁令应基于这些参数制定适用标准。

Patel认为，透过自对准四重图案（SAQP）等技术和DUV曝光机，中芯国际已经跨入7奈米制程，而且这并不是经济上可实现的极限，台积电N5使用的28奈米最小金属间距，可以在没有极紫外光（EUV）设备的情况下制造。

Patel说，若不让大陆14奈米晶片大规模量产，必须阻止所有可以实现制程上最小金属间距64奈米工具，理论上，连KrF（光阻剂）曝光机业者也需要纳入限制，SAQP搭配KrF曝光机，尽管经济效益不是最优，不过足以应对大陆境内紧急需求。

报导指出，Patel推算，不考虑经济成本，只靠现有DUV机台，中芯国际理论上就可实现每月超过10万片晶圆的7奈米代工产能，高于三星和英特尔7奈米（含）以下先进制程产能总和。若华虹、华力、长江存储、长鑫存储等目前DUV设备全被中芯调用，其打造出7奈米产能将甚至超过台积电。

此外，Patel认为，目前光阻剂和曝光机关键零组件并无出口限制，也是一个重大的漏洞，美国要压制大陆先进制程能力，必须阻止这些工具的流通，但关键供应商很容易被上海微电子等本土曝光机商所触及。