创见发表新一代工业级112层3D NAND PCIe M.2固态硬碟

受惠于新一代112层3D NAND快闪记忆体的技术突破，每单位颗粒容量可高达1Tb，与96层堆叠技术相比提高了近两倍。除晶圆密度提升，112层3D NAND也具备更快的传输速度，读写效能可提高50％。创见112层3D NAND工业级固态硬碟耐用度达3K次抹写周期（P/E cycles），可在-20°C到75°C的类宽温（Extended Temperature）温度范围下稳定运作。所有产品皆经过严苛的品质检验与测试，确保耐用度与可靠度可支援高工作负载的工业应用。

创见工业级PCIe M.2固态硬碟MTE720T，亦搭载PCIe Gen4 x4高速传输介面，符合NVMe 1.4通讯协定，采用8通道控制器，内建DDR4 DRAM快取，大幅提升随机存取效能。读写速度最高可达7400MB/s与6000MB/s，适合大量资料传输。此外，创见采用边缘补强技术（Corner Bond）与30μ金手指，保护关键元件并提升硬碟插拔次数，加强抗震与耐用程度，为工业应用带来更优异稳定的储存表现。

创见112层3D NAND工业级PCIe M.2固态硬碟亦搭配先进韧体技术，内建ECC自动纠错功能、全区平均抹写（Global Wear Leveling）、故障区块管理技术、Garbage Collection、S.M.A.R.T.监控分析，以及动态热能管理机制协助监控硬碟温度，防止装置过热，强化资料存取的稳定性与正确性。

创见独家研发嵌入式软体解决方案Control Center，全面整合软硬体，即时远端管理储存装置，轻松监控布建分散的端点设备。创见作为嵌入式储存产品领导品牌，拥有多年的丰富经验与专业研发团队，在台湾设有生产基地，严谨落实产品品质检验与生命周期管理，具备长期稳定的供货能力，提供企业高效可靠的储存解决方案。