富鼎攻电动车链 营运添翼

富鼎月合并营收

金氧半场效电晶体（MOSFET）厂富鼎（8261）获得国创半导体认购私募后，积极朝向电动车领域发展。富鼎已可量产1,200V高压绝缘闸双极电晶片（IGBT）模组。

碳化矽（SiC）应用亦完成600V萧特基二极体（SBD）、900V及1,200V高压MOSFET开发及投产，可望在鸿海MIH联盟的电动车供应链抢得先机。

富鼎上半年受惠于电源供应器需求大增，合并营收22.95亿元创历年新高，归属母公司税后纯益5.75亿元，较去年同期成长逾1.2倍，每股净利6.59元优于预期。由于生产链进入库存去化阶段，富鼎低压MOSFET出货转弱，7月合并营收月减16.2％达3.34亿元，较去年同期减少2.6％，累计前七个月合并营收26.29亿元，较去年同期成长9.4％。

全球通膨导致市场库存出现激烈修正，富鼎以电源供应器市场为主亦受影响，但冲击不会像手机等消费性电子剧烈。富鼎前几个季度营收成长有限，主要是晶圆代工产能不足，随着下半年产能供给增加，富鼎转向扩大伺服器及新能源领域出货，包括富鼎与台达电合作开发再生能源储能及供电系统MOSFET，短期营运或许有阵痛期，但对富鼎下一阶段成长将带来助益。

鸿海及国巨二大集团为了冲刺电动车商机，参与合资的国创半导体增资计划，再透过国创参与富鼎私募，增资完成后国创将持有富鼎30.08％股权，并成为最大法人股东。富鼎过去几年在车用功率半导体布局有成，但一直没有找到合适的合作伙伴切入电动车应用，在国创入股后，富鼎可望借由鸿海及MIH联盟找到车用功率元件出海口。

富鼎车用IGBT产品线及技术均已到位，与茂矽合作开发的1,200V高压IGBT模组，过去因为缺少车用电子及系统厂配合，市场一直无法打开，如今将与鸿海及MIH联盟配合，双方产品技术磨合还需要一些时间，但可望找到合适的合作伙伴。

再者，富鼎SiC产品线主要与汉磊合作，已完成600V萧特基二极体（SBD）、900V及1,200V高压MOSFET等产品开发，由于SiC磊晶片成本高，富鼎价格竞争力被弱化，但未来会朝功率模组方向发展，可望打进鸿海及MIH联盟电动车供应链。