京鼎 前三季获利逾2个股本

京鼎季度营运

虽然国际半导体大厂陆续削减资本支出，但在先进制程的产能建置仍维持原有计划，设备厂京鼎（3413）受惠于大股东应用材料扩大设备模组委外，前三季合并营收冲破百亿大关达106.62亿元，归属母公司税后纯益19.03亿元并赚逾二个股本，每股纯益20.41元。

法人预期京鼎第四季营运续创新高，明年虽有订单调整但全年仍将维持成长。

京鼎第三季合并营收季增26.8％达40.55亿元，较去年同期成长27.4％，毛利率季增0.5个百分点达30.3％，较去年同期提升4.1个百分点，而营业利益季增35.1％达8.28亿元，较去年同期成长53.3％。

京鼎第三季归属母公司税后纯益季增33.2％达7.87亿元，与去年同期相较成长83.4％，每股纯益8.14元。

京鼎第三季合并营收、营业利益、税后纯益均创历史新高，累计前三季合并营收年增20％达106.62亿元，毛利率年增3.5个百分点达29％，营业利益20.1亿元，较去年同期成长37.8％。

京鼎前三季归属母公司税后纯益19.03亿元，与去年同期相较成长68.6％，每股纯益20.41元，前三季获利赚逾二个股本。

虽然半导体生产链进入库存调整，包括台积电、英特尔、美光等大厂都已经降低资本支出，但针对先进制程的产能扩建仍持续进行，包括英特尔4奈米及3奈米新晶圆厂建置计划不变，台积电加快南科Fab 18厂3奈米产能建置，美国及日本晶圆厂兴建符合预期，美光则启动日本以及台湾1β制程量产计划。

京鼎受惠于先进制程扩产未受库存修正影响，对今年展望相当乐观，蚀刻和薄膜设备接单畅旺，产品线已由化学气相沉积（CVD）领域，延伸到物理气相沉积（PVD）及原子层沉积（ALD）等应用，法人看好第四季营运将持续成长并续创新高，年度营收年增率2成目标可望达阵。

不过，美国决定对中国禁售16/14奈米及更先进制程半导体设备，京鼎大客户应用材料预期今年营收将减少4亿美元。法人表示，京鼎主要负责设备模组代工及备品生产，影响较为间接，但预期明年可能会有订单调整压力，但因为市场景气在明年下半年可望进入成长循环，京鼎明年营运表现仍可望维持成长。