陆半导体遭美打压！专家曝北京2手段突围 产出恐抛震撼弹

大陆正以第三类半导体、积极布局Chiplet的两大策略加以突围。（示意图/达志影像/shutterstock）

台积电引领全球半导体重新洗牌，并成为全球地缘政治的焦点议题。电子电机公会副秘书长吕正钦指出，美国动作频频、目的在于迟滞中国大陆的半导体技术与产业发展，大陆要靠自己慢慢发展先进制程，观察期至少10年。IDC Taiwan国际数据资讯总经理江芳韵则指出，大陆正以第三类半导体、积极布局Chiplet的两大策略，加以突围，陆方正着手SiC长晶的大幅扩产，预估新产能在2024年若有效产出，SiC wafer市占将大幅提升，其产业影响力将不容忽视。

现代财经基金会27日举办「全球晶片产业竞逐的大趋势」论坛，邀请学者专家分别从不同的面向进行深入解读并提出建言。熟知半导体政策规划的吕正钦，认为尽管全球经济下行风险持续升高，预预期2024年全球与台湾半导体产业会比2023年好，预估全球成长达18.2％、台湾成长13.6％。

江芳韵指出，随者全球保护主义上升，主要经济大国在发展自给自足ICT产业链方面不遗余力，半导体产业尤为各国关注的焦点。为了削减中国在半导体和科技上的发展，美国除了透过晶片法案进行规范外，也联合荷兰，日本等限制中国在取得半导体设备、材料、特殊化学品、软体(EDA)的能力。

尽管在国际的广泛设限下，江芳韵认为，中国大陆希望凭借庞大的内需市场及政府的力量突围，半导体产业一直是官方扶植的重点产业，最终政策目标是自给自足率达到70％，就目前投入的经费和发展情况，2025年达成率约二成上下。据IDC追踪，中国晶圆厂目前在22／28奈米以上制程晶片已有自给自足的能力，未来透过政府的政策与补贴，预计2030年在成熟制程领域市场(≥22nm)将能达到近四成的占有率，高于2023年的三成，中国在全球半导体产能的影响力也将随之提升。

中国大陆已是在十四五计划中，将第三类半导体列为发展要项。江芳韵指出，第三类半导体如碳化矽、氮化镓等因具有低耗损、高功率、耐高温、耐高压的特性，特别适用在高压、大电流的环境，因此未来电动车、高频通讯、5G通讯、绿能等领域等应用中将扮演关键角色，多被视为国安级产业、也是各国重点发展、保护、以及政策鼓励投资及管制出口的项目。

江芳韵指出，2023年中国第三类半导体碳化矽（SiC）长晶产能陆续开出，除携手国际整合元件厂（IDM）外，也将开始进军功率元件。中国SiC长晶扩产幅度大，新产能在2024年若有效产出，SiC wafer市占将大幅提升，其产业影响力将不容忽视。

此外，为了绕开禁令限制，中国大陆也正透过chiplet，连接不同功能的晶片来减缓高阶晶片发展受限带来的影响。中国已建立chiplet联盟，并产生了中国第一个Chiplet技术标准。在2023年拟定的Chiplet发展草案中，更戈大火重视透过chiplet来优化中国封装及基板供应链，拓展相关封装技术。

江芳韵分析，虽然中国积极希望透过Chiplet突围，但并不是所有的晶片都适合做Chiplet，例如消费电子类的晶片如手机、笔电就很少需要Chiplet的设计。另外Chiplet通常需要采用先进封装技术，成本较高，加上Chiplet设计需要更多的IP，而这并非是中国的强项。未来Chiplet是否能成为中国半导体自主化的关键助力，仍需时间观察。