M31獲美國一線大廠訂單 7、5、3奈米 IP 有望接連報喜

M31董事长陈慧玲(左)与总经理张原熏。图／M31提供

矽智财（IP）厂M31（6643）宣布，7奈米制程快闪记忆体接口IP已完成矽验证，支援最高速达每秒3.2GB，同时内部已着手开发5奈米开放式NAND Flash' rel='NAND Flash' data-rel='/2/122046' class='tag'>NAND Flash介面（ONFI）5.1的IP与3奈米ONFI 6.0的IP，并且已获美国一线大厂采用，积极布局人工智慧与边缘运算应用的大数据存储市场。

近年来SSD正在取代HDD成为主流的存储媒介，SSD的存取速度更快、容量更大，体积小巧还可以降低系统成本，并在人工智慧、边缘运算、云计算等应用技术跃进的催化下，海量资料的存储与交互需求，更使SSD发展迎来全新的高算力时代。

主控晶片与NAND Flash为SSD的核心，为大幅度提高数据存储和传输的效率，现行主流SSD皆采用PCIe Gen 4介面，且高阶SSD也开始使用PCIe Gen5介面，整体介面传输速度的大幅提升，使相应的开放式NAND Flash介面速度表现成为存储晶片的关键性要素。

M31表示，公司遵循国际开放式NAND Flash介面规范，紧跟速度推升趋势与最新先进制程技术，密切开发由开放式NAND Flash介面5.0的2.4GB/s提升到ONFI 6.0的4.8GB/s的频宽技术，并提供制程节点由55奈米至3奈米全面性的ONFI矽智财解决方案，满足市场对于高性能、高可靠性及低成本储存的晶片设计需求，并依客户需求客制化所需要的功能。

凭借M31丰沛的研发实力与扎实的客户合作经验，M31不仅仅提供单一I/O，也针对高速高效能ONFI I/O所产生资料汇流排上的负载和损耗问题，M31更能进一步提供包含序列排序规划（pad sequence arrangement），缓冲器规划（bumper arrangement），基板绕线建议（substrate routing suggestion）等帮助客户成功设计的完整解决方案。