三星、海力士陆厂设备 获解禁

同样受限美方禁令的台积电9日表示，不评论市场传闻。图／美联社

韩国9日宣布，美国已将三星电子及SK海力士两大晶片业者列入认证终端用户（VEU）名单，即日起无限期开放美国业者对三星及SK海力士中国厂房出口半导体制造设备，有助稳定全球晶片产能。韩国总统府经济事务秘书Choi Sang-mok表示：「美国政府的决定化解了韩国半导体产业最大贸易问题。」

同样受限美方禁令的台积电9日表示，不评论市场传闻。法人研判，台积电南京厂是以28奈米制程技术为主，未来迭代至先进制程机率不高，影响有限。另韩厂在中国生产的记忆体晶片，非最先进的，且依然无法采购ASML的EUV光刻机至大陆工厂，只能在成熟制程范围内维持经营。

去年10月美国政府为防止中国急速扩张半导体势力，下令禁止美国业者出口先进半导体产品及设备至中国。

这项禁令涵盖产品列表包括采用FinFET制程技术的16奈米至14奈米逻辑晶片、18奈米以下的DRAM晶片，及128GB容量以上DRAM晶片生产设备或技术。美国半导体业者须向政府取得授权，才能将特定品项出口至中国。

美国政府为确保全球半导体市场供货稳定，去年10月授予台积电、三星及SK海力士为期一年的豁免权。今年9月豁免权即将到期，三星及海力士取得无限期豁免权，未来即不用再逐年谈判。

三星在西安设有晶片厂专门生产NAND Flash记忆体晶片，产量占三星全球NAND Flash产量的40％。三星在苏州还有一座晶片封装厂。SK海力士在大陆有多间厂房，其中无锡厂生产DRAM记忆体晶片占该公司全球产量的50％。

台积电方面，第二季制程结构已以先进制程为主，5奈米和7奈米制程比重已逾50％，来自中国大陆比重已不及15％，影响不大。另一方面，台积电选择降低中国营收比重，积极扩张海外产能，将地缘冲突影响降至最低。

法人认为，豁免消息主要影响恐是破坏记忆体供需平衡，无限期豁免下，两大记忆体公司将持续增加中国工厂产能，加上中国记忆体晶片厂快速崛起，如长江存储，长鑫存储及福建晋华，若供给持续开出，难免又造成另一次价格崩跌，台厂如南亚科、华邦电、旺宏将首当其冲。