三星重磅宣布第九代 1 太比特 QLC NAND 闪存

三星今天随着其第九代四级单元（QLC）V-NAND 闪存的到来，宣布在固态存储领域开启新的前沿。这种 NAND 每个单元存储四位数据，因此得名四级单元，比传统的三级单元 NAND 多一位。因此，它更侧重于容量而非性能。三星称，其旨在满足人工智能应用所要求的大容量解决方案的需求。

三星表示，其第九代 QLC V-NAND 是为人工智能时代打造的，因为它层数最多。该公告未提及具体层数，这在三星是常有的事。但据 TechRadar 报道，今年早些时候，有消息称其层数为 280 层。该公司目前的第八代 V-NAND 有 236 层，而其第七代 V-NAND 为 176 层。

三星终于突破了 QLC 闪存的 1Tb 障碍，这可能会在某个时候让价格实惠的 4TB 和 8TB SSD 成为可能

今年早些时候，三星宣布了其第九代 TLC 闪存，称 QLC 版本将在今年晚些时候推出。现在，它正式问世，完善了该公司的闪存产品阵容。三星表示，在推出第九代 TLC 闪存时学到了一些技巧，并将其应用于 QLC 版本。它使用三星的通道孔蚀刻和“双堆叠结构”，在多层闪存中创建垂直电子通道。

此前有报道称，三星将把两个 145 层的芯片相互堆叠，并使用其“串堆叠”技术，从而形成一个 290 层的产品。三星很可能永远都不会确认到底是 290 层还是 280 层，因为出于某些原因，它将这些信息捂得严严实实，但这理应能让 SSD 的容量实现大幅跃升。

三星承诺其第九代 QLC NAND 在性能和效率方面将有巨大提升。它称其位密度实现了约 86%的大幅提升，并且得益于能够预测单元状态变化的预测技术，写入性能已翻倍。它还表示，读写功耗分别下降了 30%和 50%，与之前的第八代 V-NAND 相比。