SiC新尖兵格棋 15亿募资到位

格棋化合物半导体成立于2022年，研发团队拥有自主先进、独特长晶工艺与量产能力，协助客户打造兼具高效能、高可靠性碳化矽晶片，格棋化合物半导体已与国内知名半导体材料业者进行策略合作，携手抢攻未来第三类半导体应用市场庞大商机。

格棋化合物半导体定位为专业碳化矽晶体（Ingot）与晶圆（Wafer）供应商，团队成员长期浸淫第三代化合物半导体的市场发展与工艺技术开发，在此领域拥有超过10年经验，特别是在晶体成长与热场设计上拥有出色的专业技术能力，也因此吸引特定专业投资人的关注，近期甫顺利完成新台币15亿元A轮募资。

格棋执行长叶国伟强调：「碳化矽化合物半导体的高效、高频与耐高温特色，特别适用于电动车与混合动力车的车载系统中，在技术成熟与成本降低两大优势下，商机快速放大，目前已出现供货短缺现象。」研究机构TrendForce估2023年碳化矽功率元件整体市场规模量将达22.8亿美元，年成长率超过40％。

叶国伟说：「为满足市场需求，全球半导体供应链各指标性大厂纷纷开始积极行动，几家关键性厂商已全力提供高品质碳化矽晶圆。国际性大厂也提出相关的发展蓝图，陆续开发出多款相关产品。种种迹象显示，化合物半导体制造端，各指标性大厂积极投入制程技术研发，以满足客户需求。」

格棋团队专攻物理气相传输法（Physical Vapor Transport, PVT）长晶技术，碳化矽单晶产品，具品质高、缺陷密度低，运作稳定等优点，目前团队已具备6吋N-type晶体量产制程能力，今年5月成功开发出8吋N-type晶体及6吋半绝缘晶体。近期6吋N-type晶体产线良率提升，开始进入小规模试量产。