无锡翔域半导体取得用于离子注入机的磁流体密封机构专利，使磁流体补充操作无需人工且简单方便

金融界2024年10月30日消息，国家知识产权局信息显示，无锡翔域半导体有限公司取得一项名为“一种用于离子注入机的磁流体密封机构”的专利，授权公告号 CN 221880230 U，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种用于离子注入机的磁流体密封机构，涉及真空密封装置技术领域，包括密封装置本体；所述密封装置本体包括外壳、转轴、永磁体、磁极；所述外壳内侧壁与转轴的外侧壁转动连接；本实用新型是通过磁极的内侧壁设有一组空心状存储管，使磁流体在永磁体和一对磁极的作用下充满密封间隙时，磁流体会覆盖在存储管的外侧壁上，且通过存储管的外侧壁设有圆形通槽，使存储管中可以存储磁流体，使磁流体损耗到一定程度导致磁流体较为薄弱时，在压强的作用下存储管中的磁流体会从圆形通槽中流出，填补较为薄弱处，使磁流体不易因损坏过多而无法产生密封效果，使本装置补充磁流体的操作无需人工，且较为简单方便。

本文源自：金融界

作者：情报员