汉磊获利好转 8月每股赚0.06元

汉磊4吋及6吋SiC晶圆代工产线已批量生产，其中4吋月产能达1,200～1,500片，6吋月产能达500～800片，为台湾第一家率先扩增SiC产能的晶圆代工厂，至于GaN晶圆代工也已开始接单量产出货。至于汉磊转投资矽晶圆厂嘉晶，持续开拓次世代GaN及SiC磊晶产品线，以因应电子电力市场上省电及提升能源转换效率要求，且是国内唯一拥有量产GaN磊晶与SiC磊晶的供应商。

汉磊董事长徐建华于日前股东会后指出，汉磊布局化合物半导体超过十年，将是未来营运主轴，预估今年GaN与SiC的整体营收占比约15～20％，明、后两年会逐年显著提高。由于第三代化合物半导体的晶圆代工或磊晶价格，较一般矽基半导体高出数倍，对汉磊营收及获利都会有所帮助。

汉磊专攻功率半导体晶圆代工，在接单满载及价格顺利调涨下，公告9月合并营收月增2.1％，达6.59亿元，较去年同期成长37.1％，创下单月营收历史新高。第三季合并营收季增11.0％，达19.35亿元，与去年同期相较成长41.2％，改写季度营收历史新高纪录。累计前九个月合并营收53.02亿元，较去年同期成长25.5％，为历年同期历史新高。

汉磊应主管机关要求公告自结获利，8月合并营收6.45亿元，较去年同期成长46％，税前净利0.47亿元，税后净利0.36亿元，每股净利0.06元，与去年同期每股亏损0.19元相较，营运已由亏转盈。

汉磊7月及8月合并营收12.76亿元，较去年同期成长44％，税前净利0.88亿元，税后净利0.67亿元，与去年同期亏损1.27亿元相较，营运由亏转盈且获利持续好转，7月及8月合计每股净利0.11元。法人预期汉磊第三季每股净利可望上看0.20元。