英飞凌推全新系列整合快速二极体满足照明和工业应用需求

产品适用于返驰式、PFC以及LLC/LCC设计，包括半桥式或全桥式组态。由于整合了快速二极体和超低逆复原电荷（Qrr），因此可提供耐用又可靠的快速二极体硬切换，并成为此电压等级中最耐用的SJ MOSFET，能适用于目标应用中的所有拓扑。

此外，大幅降低切换损耗（EOSS、QOSS及Qg）可提升硬切换和软切换应用的效率，且与900V CoolMOS C3 SJ MOSFET相比，MOSFET温度最多可降低4°K。新产品将轻负载和全负载的PFC效率提高0.2％以上，同时符合LLC效率方面的效能要求，更有助于迈向更环保的世界。

新产品系列降低了各种SMD和THD封装元件的导通电阻（RDS(on)）值，最高可降低55％。设计人员可透过更小的封装尺寸、大幅提高功率密度并节省电路板空间，降低BOM与生产成本。此外，与CoolMOSC3相比，新产品的闸极电荷提升了60％，大幅降低驱动损耗。而且能够达到人体放电模型（HBM）2级静电放电敏感度标准，确保ESD的稳健性，进而减少与ESD有关的设备故障，提高了产量。