英飞凌推出CoolSiC MOSFET 650V系列

英飞凌科技（Infineon）持续扩展其全方位的碳化矽（SiC）产品组合，新增650V产品系列。英飞凌新发表的CoolSiC MOSFET能满足广泛应用对于能源效率、功率密度和耐用度不断提升的需求，包括：伺服器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源储存和化成电池、UPS、马达驱动以及电动车充电等。

英飞凌电源管理与多元电子事业处高压转换部门资深协理Steffen Metzger表示，推出这项产品后，英飞凌在600V/650V电源领域完备了矽、碳化矽和氮化镓（GaN）型功率半导体产品组合。这也凸显了我们在业界的独特地位，是唯一一家推出涵盖这三种电源技术多样化产品的制造商。此外，最新的CoolSiC系列也展现了我们目标成为工业用SiC MOSFET开关供应商龙头的决心。

CoolSiC MOSFET 650V导通电阻介于27m?至107m?，采用常见的TO-247之3脚和TO-247之4脚封装，有助于进一步降低切换损耗。如同先前推出的所有CoolSiC MOSFET产品，新的650V系列亦采用英飞凌先进的沟槽式（trench）半导体技术，使SiC强大的物理特性能获得最大的发挥，确保装置达到最优异的可靠度、同级最佳的切换损耗和导通损耗。同时，这些装置具备最高的跨导等级（增益）、4V临界电压（Vth）和短路耐用度。沟槽式技术能使应用达到最低的损耗，和最高的运作可靠度，同时兼顾全方位效能。

相较于市场上其他的矽和碳化矽解决方案，650V CoolSiC MOSFET提供许多极具吸引力的优势，例如：在更高频率下的切换效率以及出色的可靠度。这些装置具有非常低的导通电阻与温度的相依性，散热特性极其出色。装置采用稳定可靠的本体二极体，拥有非常低的逆复原电荷（Qrr），较效能最好的超接面CoolMOS MOSFET降低了约80％。装置在整流方面的耐用度，有助于轻松达到98％的整体系统效率，例如：搭配连续传导模式的图腾柱电路功率因子校正（PFC）。

为了简化CoolSiC MOSFET 650V的应用设计，确保装置实现高效能运作，英飞凌亦推出专用的单通道和双通道电气隔离EiceDRIVER闸极驱动IC。此解决方案结合了CoolSiC开关和专用的闸极驱动IC，有助于降低系统成本和整体拥有成本，且能提高能源效率。CoolSiC MOSFET也能与英飞凌EiceDRIVER闸极驱动器系列的其他IC无缝配合运作。