安森美半导体推出新的SiC MOSFET

推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor），推出另两个碳化矽（SiC）金氧半场效电晶体（MOSFET）系列，扩展了其宽能隙（WBG）元件系列。 这些新元件适用于各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车（EV）车载充电、不断电电源设备（UPS）、伺服器电源和EV充电站，提供的性能水准是矽（Si）MOSFET根本无法实现的。

安森美半导体的新的1200V和900V的N型通道SiC MOSFET提供比矽更快的开关性能和更高的可靠性。快速本征二极体具有低反向恢复电荷，显著降低损耗，提高工作频率以及整体方案的功率密度。

小晶片尺寸进一步增强高频工作，达至更小的元件电容和更低的闸电荷-Qg（低至220 nC），从而降低在高频下工作时的开关损耗。这些增强功能比基于Si的MOSFET提高能效，降低电磁干扰（EMI），并可使用更少（或更小）的被动元件。极强固的SiC MOSFET比Si元件提供更高的浪涌额定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，从而提供更高的可靠性和更长的使用寿命，这对高要求的现代电源应用至关重要。 较低的正向电压提供无阈值的导通状态特性，减少元件导通时产生的静态损耗。

1200V元件的额定电流高达103A（最大ID），而900V元件的额定电流高达118A。对于需要更高电流的应用，安森美半导体的MOSFET可易于并联运行，因其正温系数/不受温度影响。

安森美半导体电源配置部功率MOSFET分部副总裁/总经理Gary Straker针对新的SiC MOSFET元件说，如果设计工程师要达到现代可再生能源、汽车、IT和电信应用要求的具挑战性的高能效和功率密度目标，他们需要高性能、高可靠性的MOSFET元件。 安森美半导体的WBG SiC MOSFET提升性能至超越矽元件所能提供的，包括更低的损耗、更高的工作温度、更快的开关速度、改善的EMI和更高的可靠性。 安森美半导体为进一步支援工程界，还提供广泛的资源和工具，简化和加速设计流程。

安森美半导体的所有SiC MOSFET都不含铅和卤化物，针对汽车应用的元件都符合AEC-Q100车规和生产件批准程式（PPAP）。 所有元件都采用行业标准的TO-247或D2PAK封装。