安森美推新一代碳化矽MOSFET装置 英飞凌推新IGBT组合
美国半导体厂安森美（ON Semiconductor）宣布推出新一代碳化矽（SiC）MOSFET装置；同时德国半导体厂英飞凌科（Infineon）同时推出具650 V阻断电压、采独立封装的CoolSiC Hybrid IGBT（绝缘栅双极电晶体）产品组合。
安森美新一代碳化矽（SiC）MOSFET装置结合先进薄晶圆技术，可在650 V击穿电压实现同类最佳的品质因数，设计人员用新的SiC装置取代现有的矽开关技术，将在电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、太阳能逆变器、伺服器电源（PSU）、电信和不断电供应系统（UPS）等应用中实现显著的更佳性能。
安森美新一代车规AECQ101和工业级合格的650伏SiC MOSFET是基于新的宽能隙半导体，提供比矽更佳的开关性能和更好的热性能，因而提高系统级能效、功率密度，及减少电磁干扰（EMI）、系统尺寸和重量。
新一代碳化矽（SiC）MOSFET技术还优化能量损失品质因数，优化汽车和工业应用中的性能。内置门极电阻(Rg)为设计人员提供更大的灵活性，更高的功率变动、雪崩能力和短路稳健性都有助于增强耐用性，从而提供更高的可靠性和更长的装置使用寿命。安森美先进电源部门资深副总裁Asif Jakwani表示，在现代电源应用中，如电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和可再生能源、企业运算及电信等其他应用，高能效、可靠性和功率密度是设计人员一直面临的挑战。这些新的SiC MOSFET比同等的矽开关技术显著提高性能，使工程师能够满足这些具有挑战性的设计目标。增强的性能降低损耗，从而提高能效，减少热管理需求，并降低电磁干扰。
德国半导体厂英飞凌科（Infineon）同时推出具650 V阻断电压、采独立封装的CoolSiC Hybrid IGBT（绝缘栅双极电晶体）产品组合，较原先标准矽二极体可降低多达60%的Eon和30%的Eoff，较高的切换频率有助于缩小被动元件的尺寸，进而降低物料清单成本。特别适用于DC-DC电源转换器和功因校正（PFC），其常见应用包括：电池充电基础设施、能源储存解决方案、光伏逆变器、不断电系统 (UPS)，以及伺服器和电信用交换式电源供应器（SMPS）。
此产品系列可作为全矽解决方案和高效能 SiC MOSFET设计之间的衔接，与全矽设计相比，Hybrid IGBT可提升电磁相容性和系统可靠性；由于肖特基障碍二极体的单极性，使二极体能快速切换，而不会有严重的振荡和寄生导通的风险。
▼英飞凌推新IGBT组合。（图／业者提供）