英飞凌推新品 锁定不断电系统、电池充电基础设施市场

英飞凌科技股份有限公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）推出具650V阻断电压，采独立封装的650 V CoolSiC Hybrid IGBT产品组合。新款CoolSiC混合型产品系列结合了650V TRENCHSTOP 5 IGBT技术的主要优点及共同封装单极结构的CoolSiC萧特基二极体。

新产品具有出色的切换频率和更低的切换损耗，特别适用于DC-DC电源转换器和功因校正（PFC）。其常见应用包括：电池充电基础设施、能源储存解决方案、太阳能变流器、不断电系统（UPS），以及伺服器和电信用交换式电源供应器（SMPS）。

由于续流SiC萧特基障碍二极体与IGBT采用共同封装，在dv/dt和di/dt值几乎不变下，CoolSiC Hybrid IGBT运作时能大幅降低切换损耗。与标准的矽二极体解决方案相比，新产品可降低多达60％的Eon和30％的Eoff。或者，也可在输出功率保持不变下，提高切换频率至少40％。

较高的切换频率有助于缩小被动元件的尺寸，进而降低物料清单成本。该Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP 5 IGBT，无需重新设计，便能使每10 kHz切换频率提升0.1％的效率。

此产品系列可作为全矽解决方案和高效能SiC MOSFET设计之间的衔接，与全矽设计相比，Hybrid IGBT可提升电磁相容性和系统可靠性。由于萧特基障碍二极体的单极性，使二极体能快速切换，而不会有严重的振荡和寄生导通的风险。此系列提供TO-247-3或TO-247-4针脚的Kelvin Emitter封装供客户选择。Kelvin Emitter封装的第四针脚可实现超低电感的闸极射极控制回路，并降低总切换损耗。