安森美宣布推出全新650 V碳化矽MOSFET
推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor），宣布推出一系列新的碳化矽（SiC）MOSFET装置，适用于对于功率密度、能效和可靠性要求极高的相关应用。设计人员用新的SiC装置取代现有的矽开关技术，将在电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、太阳能逆变器、伺服器电源（PSU）、电信和不断电供应系统（UPS）等应用中实现显著的更佳性能。
安森美半导体新的车规AECQ101和工业级合格的650伏（V） SiC MOSFET基于一种新的宽能隙半导体，提供比矽更胜一筹的开关性能和更好的热性能，因而提高系统级能效、功率密度，及减少电磁干扰（EMI）、系统尺寸和重量。
新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，可在650 V击穿电压实现同类最佳的品质因数Rsp。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封装，具有市场最低的Rdson （12 mOhm）。这技术还优化能量损失品质因数，从而优化了汽车和工业应用中的性能。内置门极电阻（Rg）为设计人员提供更大的灵活性，而无需使用外部门极电阻人为地降低装置的速度。更高的功率变动、雪崩能力和短路稳健性都有助于增强耐用性，从而提供更高的可靠性和更长的装置使用寿命。
安森美半导体先进电源部门资深副总裁Asif Jakwani在发布新品时表示，在现代电源应用中，如电动汽车（EV）车载充电器（OBC）和可再生能源、企业运算及电信等其他应用，高能效、可靠性和功率密度是设计人员一直面临的挑战。这些新的SiC MOSFET比同等的矽开关技术显著提高性能，使工程师能够满足这些具有挑战性的设计目标。增强的性能降低损耗，从而提高能效，减少热管理需求，并降低电磁干扰（EMI）。使用这些新的SiC MOSFET的最终结果是更小、更轻、更高效和更可靠的电源方案。