意法半导体第三代SiC平台 引领电晶体FoM的进步

业界认可的FoM质量因数〔导通电阻（Ron）x 晶片尺寸和Ron x 闸极电荷（Qg）〕表示电晶体效能、功率密度和开关效能。使用普通矽技术以改善FoM变得越来越困难，因此SiC技术是改善FoM的关键。意法半导体的第三代SiC产品将引领电晶体FoM的进步。

碳化矽MOSFET的单位面积耐受电压额定值相较矽基MOSFET高，是电动汽车及快速充电基础设施的最佳选择。SiC MOSFET还有一个寄生二极体之开关速度非常快的优点，而电流双向流动特性适用于电动汽车对外供电（Vehicle-to-X，V2X）车载充电器（On-Board Charger，OBC），可从车载电池取电供给基础设施。此外，SiC电晶体具备使用在高开关频率的能力，为在电源系统中使用尺寸更小的被动元件提供了可能性，可让车子使用更精密且轻量化的电子设备。这些产品优势还有助于降低工业应用中的购置成本。

意法半导体第三代产品提供多种封装，包含裸晶圆、离散功率封装（STPAK、H2PAK-7L、HiP247-4L和HU3PAK）及ACEPACK系列的功率模组。这些封装为设计者提供创新功能，例如，专门设计的冷却片可简化晶片与电动汽车应用的基板和散热器的连接，故设计人员可根据应用选择专用晶片，例如，电动汽车牵引逆变器、车载充电器、DC／DC转换器、电子空调压缩机，以及工业应用，例如，太阳能逆变器、储能系统、马达驱动装置和电源供应。