物元半导体申请半导体器件制造方法专利，进一步减薄晶圆厚度

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，物元半导体技术（青岛）有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法及半导体器件”的专利，公开号CN 118919489 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件，其中，制造方法至少包括以下步骤：提供一器件晶圆；对器件晶圆的正面执行正面工艺；形成覆盖器件晶圆的正面的硬掩模层；提供一支撑晶圆；将器件晶圆上的硬掩模层与支撑晶圆的键合表面键合连接，以使器件晶圆和支撑晶圆上下堆叠形成晶圆组合，晶圆组合位于厚度方向上的两侧表面分别为第一表面和第二表面；对晶圆组合的第一表面执行研磨工艺至器件晶圆达到目标厚度；对晶圆组合的第二表面执行Taiko工艺，通过Taiko工艺对支撑晶圆除边缘之外的区域进行减薄，减薄后在边缘形成环状结构。通过该制造方法可以进一步减薄晶圆厚度，同时减少缺陷的产生，提高良品率。

本文源自：金融界

作者：情报员