长鑫存储申请半导体结构制作方法及其结构专利，提供一种新的半导体结构的制作方法

金融界2024年10月30日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制作方法及其结构”的专利，公开号 CN 118829191 A，申请日期为2023年4月。

专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种 半导体结构的制作方法及其结构，其中，半导体结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成多个沿第一方向以及第二方向间隔排布的位线接触结构；形成电容接触结构，电容接触结构位于衬底上且与位线接触结构相间隔；形成沿第二方向延伸的位线结构，位线结构与沿第二方向排布的位线接触结构接触连接，且位线结构与电容接触结构间隔，可以提出一种新的半导体结构的制作方法。

本文源自：金融界

作者：情报员