上海积塔半导体申请半导体结构制备方法及半导体结构专利,缓解异质膜层接合面处原子失配现象
金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利,公开号CN 119049958 A,申请日期为2024年8月。
专利摘要显示,本申请提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构,所述方法包括:提供一衬底;在所述衬底的一侧形成至少一个应力释放结构,各个所述应力释放结构包括第一薄膜以及石墨烯薄膜,所述石墨烯薄膜位于所述第一薄膜背离所述衬底的一侧;于所述应力释放结构背离所述衬底的一侧形成第二薄膜。本申请通过引入石墨烯膜层实现氮化硅薄膜内应力的释放,缓解异质膜层接合面处原子失配现象,增强工艺兼容性,防止晶圆翘曲和变形,提高机械性能和热稳定性,优化电学性能,提高了第二薄膜在半导体制造应用中的性能和可靠性。
本文源自:金融界
作者:情报员