甬矽半导体申请半导体器件相关专利，保证半导体器件之间电连接的可靠性

金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“半导体器件、叠层结构及半导体封装方法”的专利，公开号CN 118888536 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件、叠层结构及半导体封装方法，涉及半导体封装技术领域。该半导体器件包括基板设置在基板的第一表面上的芯片和第一导电凸起，以及设置在基板的第二表面上的第二导电凸起，第二表面与第一表面相对，第一导电凸起包括导电部以及包裹在导电部外表面的保护部，导电部背离基板的一侧露出于保护部，导电部的露出部分用于与另一半导体器件的第二导电凸起连接。该半导体器件中的第一导电凸起采用保护部包裹导电部的结构，当半导体器件翘曲较大，第一导电凸起的数量为多个时，多个第一导电凸起在高度方向上具有很好的一致性，能够保证半导体器件之间电连接的可靠性。

本文源自：金融界

作者：情报员