深圳市时代速信取得半导体器件及半导体设备专利，使半导体器件具有平滑的跨导

金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市时代速信科技有限公司取得一项名为“一种半导体器件及半导体设备”的专利，授权公告号CN 222071950 U，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种半导体器件及半导体设备，应用于半导体器件技术领域，包括：衬底；位于衬底表面，沿厚度方向堆叠设置的至少两层外延结构；任一外延结构形成有独立的沟道；相邻外延结构沿从朝向衬底一侧至背向衬底一侧的尺寸依次减少，以在外延结构背向衬底一侧表面形成台阶面；位于台阶面的电极结构；任一台阶面均设置有电极结构，电极结构与连接的外延结构形成半导体功能结构；相邻半导体功能结构中沟道的浓度不同，使半导体器件具有平滑的跨导。通过在不同平面设置不同浓度的沟道可以具有平滑的跨导，而形成不同平面的沟道更易于器件三维空间的散热；且可以更好地根据需求调节外延结构，应用领域更广。

本文源自：金融界

作者：情报员