比亚迪半导体申请半导体器件及其制备方法专利，可以降低导通压降，降低导通损耗

金融界2024年6月28日消息，天眼查知识产权信息显示，比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法“，公开号CN202211693124.3，申请日期为2022年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括多个元胞结构，元胞结构包括第一导电类型轻掺杂的第一漂移层和阴极金属层，阴极金属层设置在第一漂移层的上面；在相邻元胞结构之间设置有第二导电类型的第一重掺杂区，第一重掺杂区位于第一漂移层中并且靠近第一漂移层的上表面设置，第一重掺杂区与阴极金属层连接；其中，第一重掺杂区包括多个重掺杂子区，相邻的两个重掺杂子区之间具有间隙，以使得第一漂移层与阴极金属层形成电连接。本发明的半导体器件，可以降低导通压降，降低导通损耗。

本文源自：金融界

作者：情报员