台积电取得半导体装置专利，通过专利技术降低寄生电容

金融界2024年6月26日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置”的专利，授权公告号CN221226228U，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本文描述的实施方式提供半导体装置。半导体装置包括具有一个或多个介电区域的全栅极晶体管，其中介电区域包括一个或多个介电气体。介电区域可以包括位于磊晶区域（例如，源极/漏极区域）与全栅极晶体管中栅极结构的第一部分之间的第一介电区域。介电区域还可以包括位于全栅极晶体管中接触结构与栅极结构的第二部分之间的第二介电区域。通过在全栅极晶体管中包括介电区域，与全栅极晶体管相关的寄生电容可以相对于另一个不包括介电区域的全栅极晶体管来说降低许多。

本文源自：金融界

作者：情报员