意法半导体新MDmesh MOSFET提升效能 大幅降低开关功率损耗

意法半导体800V STPOWER MDmesh K6系列为这种超接面技术树立了兼具高性能和易用性的标准。MDmesh K6的导通阻抗x晶片面积参数优于市面上现有800V产品，能够实现结合高功率密度并领先市场效能的紧密全新设计。

此外，K6系列的闸极阈值电压相较上一代MDmesh K5更低，可使用更低的驱动电压，进而降低功耗并提升效能，主要用于待机零功耗的应用。总闸极电荷（Qg）极低，以实现高开关速度和低损耗。

晶片上结合一个ESD保护二极体，将MOSFET的整体耐用性提升到人体放电模型（Human Body Model，HBM）2级。

义大利固态照明创新企业TCI的技术长暨研发经理Luca Colombo表示，我们已经测试评估了新的超接面高压MDmesh K6系列的样品，并注意到其出色的导通阻抗 x 晶片面积和总闸极电荷（Qg）效能。

意法半导体将于2022年前推出MDmesh K6的完整产品组合，将产品导通电阻的范围从0.22Ω扩大至4.5Ω，并增加一系列封装选择，包括SMD和通孔包装。