中芯集成-U申请半导体器件及其制备方法专利，改善镜面结构翘曲，以提高半导体器件的可靠性

金融界2024年7月5日消息，天眼查知识产权信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法“，公开号CN202410441004.7，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：提供CAP晶圆，在CAP晶圆的表面形成第一凹槽；形成具有张应力的氮化层填充第一凹槽；提供MEMS晶圆，MEMS晶圆中具有暴露的第一梳齿结构；将MEMS晶圆具有第一梳齿结构的一侧与CAP晶圆具有氮化层的一侧键合；在CAP晶圆远离氮化层的一侧形成镜面结构，且镜面结构及氮化层相背设置于CAP晶圆的两侧，镜面结构具有压应力；以及，刻蚀CAP晶圆以形成第二梳齿结构，第二梳齿结构与第一梳齿结构沿MEMS晶圆的平面方向错位设置。本发明能够改善镜面结构翘曲，以提高半导体器件的可靠性。

本文源自：金融界

作者：情报员