格科微（上海）申请图像传感器及其形成方法专利，提高像素单元防过曝能力改善图像传感器整体性能

金融界 2024 年 8 月 30 日消息，天眼查知识产权信息显示，格科微电子（上海）有限公司申请一项名为“图像传感器及其形成方法“，公开号 CN202310183264.4，申请日期为 2023 年 2 月。

专利摘要显示，本发明提供一种图像传感器及其形成方法，在采用多晶硅隔离结构实现像素单元中不同电压节点之间的电学隔离的基础上，进一步通过多晶硅隔离结构控制光电二极管的载流子溢出，优选的，在高电压节点附近的多晶硅隔离结构下方形成与光电二极管相连的载流子溢出通道，所述多晶硅隔离结构作为控制所述载流子溢出通道的栅极，光电二极管中过饱和的载流子可以通过载流子溢出通道转移到附近的高电压节点并被抽出，从而降低过饱和载流子溢出到临近像素单元中的几率，这样像素单元的防过曝能力将会大幅度提高，改善了图像传感器的整体性能。

本文源自：金融界

作者：情报员