思特威-W申请图像传感器及其制作方法、电子设备专利，图像传感器的入射光可以更加直接地穿过光学增强结构进入像素区，从而有效降低光学路径长、金属布线反射吸收...

金融界2024年7月5日消息，天眼查知识产权信息显示，思特威（上海）电子科技股份有限公司申请一项名为“图像传感器及其制作方法、电子设备“，公开号CN202211700379.8，申请日期为2022年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种图像传感器及其制作方法、电子设备，其中，本申请公开的图像传感器包括半导体结构层、电路连接层和光学结构层，半导体结构层内具有呈阵列分布的像素区和逻辑区，像素区包括感光组件，本申请通过在电路连接层对应像素区的位置设置光学增强结构，并利用电路连接层对应逻辑区的位置的驱动电极在感光组件接收光信号之前为光学增强结构供电，使图像传感器的入射光可以更加直接地穿过光学增强结构进入像素区，从而有效降低光学路径长、金属布线反射吸收损耗大对图像传感器性能的影响。

本文源自：金融界

作者：情报员