晶合集成申请一种半导体结构的制作方法专利，提高半导体结构的电性性能

金融界2024年7月3日消息，天眼查知识产权信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制作方法“，公开号CN202410702896.1，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体结构的制作方法包括：提供一衬底，并在所述衬底上形成栅极；在所述栅极两侧形成第一侧墙，所述第一侧墙包括叠层和阻挡层，所述叠层覆盖所述栅极的侧壁和靠近所述栅极的部分衬底，在所述栅极和所述衬底的连接处形成拐角，所述阻挡层位于所述拐角上；在所述衬底中形成掺杂区，所述掺杂区位于所述第一侧墙两侧；移除所述阻挡层，形成第二侧墙；在所述衬底、所述第二侧墙以及所述栅极上沉积应力层，并退火；以及，移除所述应力层，并在所述栅极和所述掺杂区上形成金属硅化物层。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，提高半导体结构的电性性能。

本文源自：金融界

作者：情报员