福建省晋华集成电路申请半导体器件及其制作方法专利，提升位线结构的组件效能

金融界2024年10月25日消息，国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN 118804592 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请公开了半导体器件及其制作方法，包括衬底，浅沟槽隔离，和多个位线结构。衬底包括多个有源区。浅沟槽隔离设置在衬底中，包括高于衬底的表面的第一绝缘层和低于衬底的表面的第二绝缘层。位线结构设置在衬底上，至少包括导电层。至少一位线结构横跨有源区和浅沟槽隔离的第一绝缘层和第二绝缘层，并且分别具有第一绝缘堆叠结构、第二绝缘堆叠结构和第三绝缘堆叠结构。第一绝缘堆叠结构、第二绝缘堆叠结构和第三绝缘堆叠结构包括彼此共平面的顶面和不同的堆叠材料。由此，位线结构的组件效能得以提升，从而优化半导体器件的操作表现。

本文源自：金融界

作者：情报员