南京高光半导体申请一种含有咔唑结构的化合物及有机电致发光器件专利，大幅度提高器件的稳定性及寿命

金融界 2024 年 11 月 26 日消息，国家知识产权局信息显示，南京高光半导体材料有限公司申请一项名为“一种含有咔唑结构的化合物及有机电致发光器件”的专利，公开号 CN 119019317 A，申请日期为 2024 年 10 月。

专利摘要显示，本发明涉及一种含有咔唑结构的化合物及有机电致发光器件。本发明的化合物均在联咔唑核心（HOMO 能级电子云密度高的区域）进行氘代的化合物，同时咔唑的 9‑号位置如果未联苯，则与咔唑 9‑号位置链接的苯基同样被氘所取代，由于 C‑D 之间的键能远高于 C‑H 键，且 C‑D 键的伸缩振动的幅度远低于 C‑H 键，因此本发明的化合物具有更加良好的热稳定、化学稳定性及光电稳定性，进而大幅度提高了器件的稳定性及寿命。化合物同时具有合适的分子量合适的蒸镀温度和升华温度良好的量产稳定性。

本文源自：金融界

作者：情报员