武汉楚兴申请一种半导体结构制备方法及制备系统专利，降低沉积金属氮化层时的杂质含量

金融界 2024 年 11 月 15 日消息，国家知识产权局信息显示，武汉楚兴技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构制备方法及制备系统”的专利，公开号 CN 118943077 A，申请日期为 2023 年 5 月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构制备方法及制备系统，该方法包括：提供衬底；在衬底的一侧形成介质层；刻蚀介质层，形成贯穿介质层的通道，以暴露出衬底的表面，以便后续导电互连结构的形成。预先将反应源气体与还原性气体混合后，通入反应腔室，在第一温度下，反应源气体与还原性气体发生反应，在通道的内壁和暴露出的衬底的表面形成金属氮化层。由于反应源气体与还原性气体反应后，可以形成易挥发性物质，从而降低了沉积金属氮化层时的杂质含量，可以提高沉积的金属氮化层的致密性，降低电阻，改善器件性能。最后在金属氮化层远离衬底的一侧形成金属填充层，金属氮化层和金属填充层形成互连结构的导电层。以便形成导电性能良好的半导体互连结构。

本文源自：金融界

作者：情报员