武汉楚兴申请图像传感器及其制造方法专利，降低寄生电容，提高器件性能

金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，武汉楚兴技术有限公司申请一项名为“一种图像传感器及其制造方法”的专利，公开号 CN 118943155 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本申请提供一种图像传感器及其制造方法，图像传感器可以包括第一衬底，位于第一衬底中的多个光吸收区、位于第一衬底的一侧的器件层以及接触结构，光吸收区中设置有光电二极管和浮动扩散区，相邻的光吸收区之间设置有浅沟槽隔离结构，接触结构连接浮动扩散区，接触结构贯穿器件层，且向第一衬底内部延伸，嵌入第一衬底内部的一端环绕部分浅沟槽隔离结构的顶部，这样同一个接触结构可以通过端部连接不同浮动扩散区，使多个光吸收区的浮动扩散区可以共用接触结构，减少了接触结构的数量，降低寄生电容，提高器件性能。

本文源自：金融界

作者：情报员