格科微电子申请图像传感器形成方法专利，提升了像素的传输能力

金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，格科微电子（上海）有限公司申请一项名为“一种图像传感器形成方法及图像传感器”的专利，公开号 CN 118825040 A，申请日期为 2023 年 4 月。

专利摘要显示，本发明提供一种图像传感器形成方法，包括：刻蚀硅衬底形成隔离区域；通过氧化工艺于所述隔离区域形成隔离结构和浮置扩散区。通过自对准的工艺形成浮置扩散区和传输晶体管结构，并通过侧边的介质层厚度来均匀控制工艺形成浮置扩散区与传输晶体管的距离，并且，由于下沉式的传输晶体管结构，提升了像素的传输能力，增加了与浮置扩散区和其他器件在垂直方向的距离，降低了浮置扩散区的电场，同时减少了其他器件层的信号干扰，提升了暗电流质量。在此基础上，本发明采用的立式结构晶体管能够进一步降低源跟随管的噪声，提升饱和电流速度，从而优化图像传感器的质量。

本文源自：金融界

作者：情报员