武汉新芯取得存储器件的制造方法及存储器件专利
金融界2024年11月16日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“存储器件的制造方法及存储器件”的专利，授权公告号 CN 118475123 B，申请日期为2024年7月。
本文源自：金融界
作者：情报员
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