爱思开海力士申请半导体存储器装置及制造方法专利，提高半导体存储器装置性能

金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法”的专利，公开号 CN 118900566 A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本文提供了半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括：第一栅极层叠体，其包括在垂直方向上交替层叠的多个层间绝缘层和多个导电图案；第二栅极层叠体，其包括依次形成在第一栅极层叠体上的源极选择线和绝缘图案；以及沟道结构，其在垂直方向上延伸到第一栅极层叠体和第二栅极层叠体中，并且包括向上突出高于第二栅极层叠体的第一端，其中，源极选择线包括依次层叠的多个导电层。

本文源自：金融界

作者：情报员