格科微电子申请图像传感器及其形成方法专利，有效减轻高光溢出的影响

金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，格科微电子（上海）有限公司申请一项名为“图像传感器及其形成方法”的专利，公开号CN 118943148 A，申请日期为2023年5月。

专利摘要显示，一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：子像素阵列，所述图像传感器的像素区域中包含多个子像素阵列，每个子像素阵列的半导体衬底内包含多个呈中心对称排列的子像素，每个子像素均含有光电二极管区域；侧向隔离结构，包含完全侧向隔离结构和成对的部分侧向隔离结构，所述完全侧向隔离结构形成于所述半导体衬底的正面并完全隔断所述半导体衬底，用于分隔相邻子像素阵列，所述部分侧向隔离结构与所述完全侧向隔离结构同时形成于所述半导体衬底的正面，部分隔断所述半导体衬底；背部隔离结构，形成于所述半导体衬底的背面。本发明可以有效减轻高光溢出的影响，提高FWC，提升器件品质。

本文源自：金融界

作者：情报员