武汉北极芯微电子申请半导体器件及其形成方法专利，使光生载流子引发雪崩效应产生雪崩电流

金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，武汉北极芯微电子有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利，公开号 CN 119108448 A，申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。其中，半导体器件包括：第一功能层以及分别位于所述第一功能层顶表面和底表面的第一吸收层和雪崩层；所述第一吸收层，用于吸收光子并产生光生载流子；所述第一功能层，用于将未被第一吸收层吸收的光子重新反射回第一吸收层，并将所述第一吸收层产生的光生载流子传输至所述雪崩层；所述雪崩层，用于使进入其中的所述光生载流子引发雪崩效应，产生雪崩电流。

本文源自：金融界

作者：情报员