联合微电子中心申请半导体器件及其设计版图、形成方法专利，有助于更加精准地控制刻蚀后的垫氧化层的剩余厚度

金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，联合微电子中心有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其设计版图、形成方法”的专利，公开号CN 118825011 A，申请日期为2023年4月。

专利摘要显示，一种半导体器件及其设计版图、形成方法，所述设计版图包括：形成版图，包含一个或多个局部场氧隔离LOCOS区域，所述LOCOS区域内包含有源区图形和伪有源区图形；刻蚀版图，包含第一刻蚀图形和第二刻蚀图形；其中，每个第一刻蚀图形均位于所述有源区图形内，每个第二刻蚀图形均位于所述伪有源区图形内。在LOCOS形成工艺，采用上述设计版图，有助于更加精准地控制刻蚀后的垫氧化层的剩余厚度。

本文源自：金融界

作者：情报员