C2安培取得垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成的方法专利
金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，C2安培有限公司取得一项名为“垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成的方法”的专利，授权公告号CN 110574168 B，申请日期为2018年5月。
本文源自：金融界
作者：情报员
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