上海积塔半导体申请沟槽型晶体管结构及其制备方法专利，工艺简单

金融界 2024 年 10 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“沟槽型晶体管结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 118824860 A，申请日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显示，本发明提供了一种沟槽型晶体管结构及其制备方法。所述方法包括如下步骤：形成一基底，所述基底包括半导体衬底、沟槽、第一氧化层以及多晶硅层，所述多晶硅层顶部存在缺陷形貌；于所述多晶硅层顶部表面形成第二氧化层以修复所述缺陷形貌；于所述半导体衬底表面和所述第二氧化层顶面形成连续分布的金属层，所述金属层与所述半导体衬底表面以及所述第二氧化层顶面的接触面为平滑表面以及对所述金属层进行处理，形成暴露所述第二氧化层的金属硅化物层。本发明利用多晶硅与碳化硅氧化温度的差异，在不氧化作为衬底的碳化硅的温度下对多晶硅层的多晶硅进行氧化，形成的氧化膜作为金属硅化物层，工艺简单，且所形成的金属硅化物层面内均匀性好、欧姆接触好。

本文源自：金融界

作者：情报员